Главная » 2016»Декабрь»14 » «Росэлектроника» освоила новую технологию многослойных плат.
08:28
«Росэлектроника» освоила новую технологию многослойных плат.
«Росэлектроника» освоила выпуск многослойных плат гибридных интегральных схем по технологии LTCC с применением тонких пленок. LTCC (Low Temperature Co-Fired Ceramic) – технология низкотемпературной совместно обжигаемой керамики – для российской микроэлектроники уникальна. В нашей стране опыт ее применения имеет ограниченное число предприятий. Устройства, реализованные подобным образом, обладают малыми объемом и массой, широким диапазоном частот и высокой стойкостью к внешним факторам. «Многослойные платы, выполненные по данной технологии, по своим характеристикам превзошли аналогичную продукцию зарубежных компаний, в частности, американских CTS Corporation, Fox Electronics и Mini-Circuits, японских Epson и Murata, а также британской Golledge Electronics и германской Jauch» Новая технология, которую освоила «Росэлектроника», позволяет реализовать до 30 многослойных тонкопленочных слоев на толстопленочном многослойном основании с разрешением «проводник-зазор» и диаметром переходных отверстий 30 мкм и менее, а также интегрировать непосредственно в объем многослойной платы гибридных интегральных схем пассивные и активные элементы, в том числе системы на кристалле. Это обеспечивает высокую плотность компоновки, и, как следствие, компактность разрабатываемых изделий. Как отмечают специалисты холдинга, таких показателей удалось добиться в результате объединения двух классических технологий на основе толстых и тонких пленок в едином конструктиве без применения дополнительных механических и сборочных операций. Многослойные платы, выполненные по данной технологии, по своим характеристикам превзошли аналогичную продукцию зарубежных компаний, в частности, американских CTS Corporation, Fox Electronics и Mini-Circuits, японских Epson и Murata, а также британской Golledge Electronics и германской Jauch. Разработчики отмечают, что освоенная технология позволит создавать современную элементную базу для построения устройств функциональной микроэлектроники, телекоммуникаций и связи в области высоких и сверхвысоких частот.